開爾文四線法之高精度測量低電阻方法：

開爾文四線法（Kelvin Four-Wire Measurement）是一種高精度測量低電阻（通常低于1Ω）的技術，其核心原理是通過分離電流激勵與電壓檢測回路，消除測試引線和接觸電阻的影響，從而顯著提升測量精度。以下是其工作原理的詳細說明：

一、傳統二線法的局限性

在普通二線制測量中，電流激勵（I）與電壓檢測（V）共用同一對導線。此時，引線電阻（Rlead）和接觸電阻（Rcontact）會與待測電阻（RDUT）串聯，導致測量值偏高：

Rmeasured=RDUT+2(Rlead+Rcontact)

當RDUT為毫歐級時，引線電阻（可能達數十毫歐）會引入顯著誤差。

二、開爾文四線法的原理

四線法通過獨立分開電流路徑與電壓路徑，徹底消除引線和接觸電阻的影響：

1. 電流激勵回路：

☆ 使用一對導線（C1、C2）向待測電阻（RDUT）施加恒定電流I。

☆ 引線電阻Rlead-C1 、Rlead-C2 和接觸電阻Rcontact-C1、Rcontact-C2 會影響電流大小，但現代恒流源可自動補償，確保I穩定。

2. 電壓檢測回路：

☆ 使用另一對高阻抗導線（P1、P2）直接測量RDUT兩端的電壓V。

☆ 由于電壓表輸入阻抗極高（通常>10MΩ），流經電壓引線的電流趨近于零，因此引線電阻（Rlead-P1、Rlead-P2 ）和接觸電阻（Rcontact-P1、Rcontact-P2 ）不會產生額外壓降。

3. 電阻計算：

RDUT=V/I

僅反映RDUT的真實值，與引線電阻無關。

三、關鍵設計要點

1. 物理分離電流與電壓端子：

在待測電阻上設置獨立的電流端（C1、C2）和電壓端（P1、P2），避免電流路徑與電壓路徑重疊。

2. 高阻抗電壓測量：

☆ 電壓表的輸入阻抗需遠大于RDUT（通常要求>1000倍），確保檢測回路電流可忽略不計。

3. 低噪聲與屏蔽：

☆ 電壓檢測線需采用屏蔽線，減少電磁干擾（EMI）對微小電壓信號的影響。

4. 恒流源穩定性：

☆ 電流源的輸出精度和穩定性直接影響測量結果，尤其在測量超低電阻（如μΩ級）時需選用高精度源。

四、實際應用場景

1. 電池內阻測試：

☆ 精確測量鋰離子電池的毫歐級內阻，評估健康狀態（SOH）。

2. PCB走線電阻測量：

☆ 檢測電路板中接地路徑或電源路徑的導通電阻。

3. 精密電阻校準：

☆ 校準標準電阻（如0.1Ω、1Ω標準電阻）的阻值。

4. 半導體器件測試：

測量MOSFET的RDS(on)或IGBT的導通電阻。

五、四線法與二線法的對比

六、示例：四線法測量導線電阻

1. 接線：

☆ 電流端C1、C2連接導線兩端，通入恒定電流I=1A。

☆ 電壓端P1、P2緊貼導線兩端（避開電流端子），測量電壓V=0.002V。

2. 計算：

RDUT=0.002?V/1?A=2?mΩ

即使引線電阻為50mΩ，測量結果仍精確為2mΩ。

七、注意事項

☆ 接觸點清潔：電壓端子需緊密接觸被測點，避免氧化層引入接觸電阻。

☆ 熱電勢補償：在μΩ級測量中，不同金屬接觸可能產生熱電勢，需采用反向電流法或自動偏移補償技術。

☆ 電流選擇：電流過大會導致被測電阻發熱，改變阻值；過小則電壓信號微弱，易受噪聲干擾。

☆ 通過開爾文四線法，工程師能夠以亞毫歐級精度測量低電阻值，為高可靠性電子系統設計、電池管理和精密制造提供關鍵數據支持。